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光刻鍵合工藝 刻蝕工藝 薄膜沉積和擴(kuò)散工藝 封裝測試工藝 測量分析 位置：首頁 > 工藝能力   
 
刻蝕工藝
干法刻蝕工藝
深硅刻蝕（深寬比高于35:1）
金屬刻蝕（Au、Ti）
Poly Si刻蝕
SiO2刻蝕
SiN刻蝕
Si犧牲層釋放（氣相XeF2）
濕法腐蝕工藝
晶圓清洗（RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗）
光刻膠去除（硫酸、去膠液）
金屬腐蝕（Au、Cr、Al、Ni、TiN）
SiO2腐蝕
SiN腐蝕
厚金屬剝離
KOH/TMAH腐蝕臺(tái)階
KOH/TMAH硅片減薄

公司介紹 工藝能力 中試代工 企業(yè)智庫
公司概況 光刻鍵合工藝    
企業(yè)文化 刻蝕工藝  
資質(zhì)榮譽(yù) 薄膜沉積和擴(kuò)散工藝
  封裝測試工藝
  測量分析
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